用于中频透热锻造炉感应加热的可控硅中频装置是一种将三相工频电源转变为单相中额电源的可控硅静止式变频器。

　　直到1958年，世界*只可控硅问世，欧洲各国才相继开始研制可控硅静止式变频器。1966年瑞士布朗·鲍佛里（BBC）公司造出*台功率750千瓦、频率1000赫的可控硅中频电源装置，并采用并联逆变线路，工作电压为1400伏。与此同时，西德通用电器公司（AEG）公司也造出840千瓦、500赫的可控硅中频电源装置，并采用串联逆变线路，工作电压b3000伏。此后，吐界各国都在大力发展这类变频器，到七十年代初期，一些国家已完成可控硅中频装置的系列化工作。频率为150～10000赫的各种功率可控硅中频装置已投入实际使用，并已研制成频率高到60千赫的小容量可控硅变频装置，正中频透热锻造炉在研制更高频率的可控硅中频装置。

　　我国在六十年代末期已开始研究可控硅中频装置，到1971年就制造出了中频透热锻造炉感应加热甩的可控硅中频装詈，此后即逐渐形成系列。*近几年，又开展了研制频率更高的可控硅变频装置工作，并于1980年研制成了30-50千赫、100千瓦的超音额可控硅变频装置。

　　在1931年就有人研制出电子式的静止变频器，以后相继制成以电子管、汞弧整流器作为电子开关的静止变频器，但由于缺点较多，容量不大，电子式的静止变频器一直未得到广泛应用。